Описание транзисторов
Описание производителя. Основные характеристики и параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.
При демонтаже китайских девайсов или всякой электронной дребидени часто встречающихся транзисторов. Параметры транзисторов для дальнейшего их использования в самодельных устройствах
Наименование производителя: C945
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 150mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), Pf: 3
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130MIN
Производитель: HTsemi
Корпус транзистора: SOT23
Наименование производителя: S9018
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), Pf:
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70MIN
Производитель: HTsemi
Корпус транзистора: SOT23
Наименование производителя: S9014
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), Pf:
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200MIN
Производитель: HTsemi
Корпус транзистора: SOT23
Наименование производителя: S8050
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), Pf:
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120MIN
Производитель: HTsemi
Корпус транзистора: SOT23
Наименование производителя: S9013
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), Pf:
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120MIN
Производитель: HTsemi
Корпус транзистора: SOT23
Наименование производителя: BC548
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 6
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110-220
Корпус транзистора: TO92
Наименование производителя: 2N5551
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 600mA
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 135
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 6
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80-250
Корпус транзистора: TO92
Наименование производителя: D1111
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 600mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 700mA
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 190
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7000
Корпус транзистора: TO92
Наименование производителя: D965
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 750mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 42V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5000mA
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 340-2000
Корпус транзистора: TO-92
Наименование производителя: C1674
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20mA
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 175
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 2
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40-180
Корпус транзистора: TO92
Наименование производителя: C1815
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 150mA
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130MIN
Корпус транзистора: SOT23
Наименование производителя: BF689K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25mA
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 200
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 0.8
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20MIN
Корпус транзистора: TO92
Наименование производителя: 2N5551
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 600mA
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 135
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 6
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80-250
Корпус транзистора: TO92
Наименование производителя: 2SA431
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5mA
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 75
Гранчная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 1
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 16
Корпус транзистора: TO72
Наименование производителя: BC327
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8V
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 18
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
Корпус транзистора: TO92